Numéro de produit du fabricant:
TSM80N950CI C0G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM80N950CI C0G-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventaire:
12897545
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM80N950CI C0G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
691 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TSM80N950CIC0G
TSM80N950CI C0G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM80N950CI
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM80N950CI-DG
PRIX UNITAIRE
2.88
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM8N70CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
TSM4NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
